Polysilicon huwa materjal importanti fil-mira sputtering.L-użu tal-metodu ta 'sputtering ta' magnetron biex jipprepara SiO2 u films irqaq oħra jista 'jagħmel il-materjal tal-matriċi jkollu reżistenza ottika, dielettrika u tal-korrużjoni aħjar, li tintuża ħafna f'industriji touch screen, ottiċi u oħrajn.
Il-proċess tal-ikkastjar ta 'kristalli twal huwa li tirrealizza s-solidifikazzjoni direzzjonali tas-silikon likwidu minn isfel għal fuq gradwalment billi tikkontrolla b'mod preċiż it-temperatura tal-heater fil-qasam sħun tal-forn tal-ingotti u d-dissipazzjoni tas-sħana tal-materjal tal-insulazzjoni termali, u l- solidifikazzjoni kristalli twal veloċità hija 0.8 ~ 1.2cm/h.Fl-istess ħin, fil-proċess ta 'solidifikazzjoni direzzjonali, l-effett ta' segregazzjoni ta 'elementi tal-metall f'materjali tas-silikon jista' jiġi realizzat, ħafna mill-elementi tal-metall jistgħu jiġu ppurifikati, u tista 'tiġi ffurmata struttura uniformi tal-qamħ tas-silikon polikristallin.
Il-polysilicon tal-ikkastjar jeħtieġ ukoll li jiġi drogat intenzjonalment fil-proċess tal-produzzjoni, sabiex tinbidel il-konċentrazzjoni tal-impuritajiet li jaċċettaw fit-tidwib tas-silikon.Id-dopant ewlieni tal-polysilicon fondut tat-tip p fl-industrija huwa liga prinċipali tal-boron tas-silikon, li fiha l-kontenut tal-boron huwa ta 'madwar 0.025%.L-ammont tad-doping huwa ddeterminat mir-reżistività fil-mira tal-wejfer tas-silikon.Ir-reżistenza ottimali hija 0.02 ~ 0.05 Ω • ċm, u l-konċentrazzjoni tal-boron korrispondenti hija madwar 2 × 1014cm-3。 Madankollu, il-koeffiċjent ta 'segregazzjoni tal-boron fis-silikon huwa 0.8, li se juri ċertu effett ta' segregazzjoni fil-proċess ta 'solidifikazzjoni direzzjonali, li huwa, l-element tal-boron huwa mqassam fi gradjent fid-direzzjoni vertikali tal-ingott, u r-reżistività tonqos gradwalment mill-qiegħ għall-quċċata tal-ingott.
Ħin tal-post: Lulju-26-2022