Il-film irqiq fuq il-mira miksija hija forma ta 'materjal speċjali.Fid-direzzjoni speċifika tal-ħxuna, l-iskala hija żgħira ħafna, li hija kwantità mikroskopika li tista 'titkejjel.Barra minn hekk, minħabba l-apparenza u l-interface tal-ħxuna tal-film, il-kontinwità tal-materjal tispiċċa, li tagħmel id-data tal-film u d-data tal-mira għandhom proprjetajiet komuni differenti. U l-mira hija prinċipalment l-użu ta 'kisi ta' magnetron sputtering, l-edither ta 'Beijing Richmat se jeħodna biex nifhmu il-prinċipju u l-ħiliet tal-kisi sputtering.
一、Prinċipju ta 'kisi sputtering
Sputtering kisi ħiliet huwa li tuża dehra tal-mira tal-qoxra tal-jone, l-atomi fil-mira jintlaqtu barra mill-fenomenu magħruf bħala sputtering.L-atomi depożitati fuq il-wiċċ tas-sottostrat jissejħu sputtering coating.Generally, jonizzazzjoni tal-gass hija prodotta mill-iskarigu tal-gass, u l-joni pożittivi bombast il-mira tal-katodu b'veloċità għolja taħt l-azzjoni tal-kamp elettriku, jolqot l-atomi jew molekuli tal- mira tal-katodu, u li jtiru lejn il-wiċċ tas-sottostrat biex jiġi ddepożitat f'film.Sempliċement, il-kisi tal-sputtering juża skariku ta 'tiddix ta' gass inert bi pressjoni baxxa biex jiġġenera joni.
Ġeneralment, it-tagħmir tal-kisi tal-film sputtering huwa mgħammar b'żewġ elettrodi f'kamra ta 'skarika bil-vakwu, u l-mira tal-katodu hija magħmula minn data tal-kisi.Il-kamra tal-vakwu hija mimlija b'gass argon bi pressjoni ta '0.1 ~ 10Pa.L-iskarigu ta 'l-iskariku jseħħ fil-katodu taħt l-azzjoni ta' vultaġġ għoli negattiv ta '1 ~ 3kV dc jew vultaġġ rf ta' 13.56mhz.Ioni ta 'l-argon jibbumbardjaw il-wiċċ fil-mira u jikkawżaw li l-atomi fil-mira sputtered jakkumulaw fuq is-sottostrat.
二、Sputtering kisi karatteristiċi ħiliet
1、Veloċità mgħaġġla tal-istivar
Id-differenza bejn l-elettrodu ta 'sputtering magnetron b'veloċità għolja u l-elettrodu tradizzjonali ta' sputtering f'żewġ stadji hija li l-kalamita hija rranġata taħt il-mira, għalhekk il-kamp manjetiku irregolari magħluq iseħħ fuq il-wiċċ tal-mira。Il-forza lorentz fuq l-elettroni hija lejn iċ-ċentru tal-kamp manjetiku eteroġenju.Minħabba l-effett li jiffoka, l-elettroni jaħarbu inqas.Il-kamp manjetiku eteroġenju jmur madwar il-wiċċ fil-mira, u l-elettroni sekondarji maqbuda fil-kamp manjetiku eteroġenju jaħbtu mal-molekuli tal-gass ripetutament, li jtejjeb ir-rata ta 'konverżjoni għolja tal-molekuli tal-gass. Għalhekk, il-magnetron sputtering b'veloċità għolja jikkonsma enerġija baxxa, iżda jista 'jikseb effiċjenza kbira tal-kisi, b'karatteristiċi ta' kwittanza ideali.
2、It-temperatura tas-sottostrat hija baxxa
Magnetron sputtering b'veloċità għolja, magħruf ukoll bħala sputtering f'temperatura baxxa.Ir-raġuni hija li l-apparat juża skariki fi spazju ta 'kampi elettromanjetiċi li huma dritti għal xulxin.L-elettroni sekondarji li jseħħu fuq barra tal-mira, f'xulxin.Taħt l-azzjoni ta 'kamp elettromanjetiku dritta, hija marbuta ħdejn il-wiċċ tal-mira u timxi tul ir-runway f'linja rolling ċirkolari, ripetutament iħabbtu kontra l-molekuli tal-gass biex jonizza l-molekuli tal-gass. Flimkien, l-elettroni nfushom jitilfu l-enerġija tagħhom gradwalment, permezz ħotob ripetuti, sakemm l-enerġija tagħhom tintilef kważi kompletament qabel ma jkunu jistgħu jaħarbu mill-wiċċ tal-mira ħdejn is-sottostrat.Minħabba li l-enerġija tal-elettroni hija tant baxxa, it-temperatura tal-mira ma togħlax wisq.Dak huwa biżżejjed biex jikkontrobattu ż-żieda fit-temperatura tas-sottostrat ikkawżata mill-bumbardament ta 'elettroni ta' enerġija għolja ta 'sparatura dajowd ordinarja, li tlesti l-krijoġenizzazzjoni.
3、A firxa wiesgħa ta ' strutturi tal-membrana
L-istruttura ta 'films irqaq miksuba permezz ta' evaporazzjoni bil-vakwu u depożizzjoni ta 'injezzjoni hija pjuttost differenti minn dik miksuba bit-traqqija ta' solidi bl-ingrossa.B'kuntrast mas-solidi ġeneralment eżistenti, li huma kklassifikati bħala essenzjalment l-istess struttura fi tliet dimensjonijiet, il-films depożitati fil-fażi tal-gass huma kklassifikati bħala strutturi eteroġenji. Il-films irqaq huma kolonni u jistgħu jiġu investigati permezz ta 'mikroskopija elettronika tal-iskannjar.It-tkabbir kolonni tal-film huwa kkawżat mill-wiċċ konvessi oriġinali tas-sottostrat u ftit dellijiet fil-partijiet prominenti tas-sottostrat.Madankollu, il-forma u d-daqs tal-kolonna huma pjuttost differenti minħabba t-temperatura tas-sottostrat, it-tixrid tal-wiċċ ta 'atomi f'munzelli, id-dfin ta' atomi ta 'impurità u l-Angolu inċidentali ta' atomi inċidentali relattiv għall-wiċċ tas-sottostrat.Fil-medda ta 'temperatura eċċessiva, il-film irqiq għandu struttura fibruża, densità għolja, komposta minn kristalli kolonari fini, li hija l-istruttura unika tal-film sputtering.
Pressjoni sputtering u film stivar veloċità wkoll jaffettwaw l-istruttura tal-film.Minħabba li l-molekuli tal-gass għandhom l-effett li jrażżnu t-tixrid tal-atomi fuq il-wiċċ tas-sottostrat, l-effett ta 'pressjoni għolja ta' sputtering huwa adattat għat-tnaqqis fit-temperatura tas-sottostrat fil-mudell.Għalhekk, films porużi li fihom ħbub fini jistgħu jinkisbu bi pressjoni għolja ta 'sputtering.Dan il-film ta 'daqs żgħir tal-qamħ huwa adattat għal-lubrikazzjoni, reżistenza għall-ilbies, ebusija tal-wiċċ u applikazzjonijiet mekkaniċi oħra.
4、Rranġa l-kompożizzjoni indaqs
Komposti, taħlitiet, ligi, eċċ., Li huma diffiċli b'mod xieraq biex jiġu miksija permezz ta 'evaporazzjoni bil-vakwu minħabba li l-pressjonijiet tal-fwar tal-komponenti huma differenti jew minħabba li jiddifferenzjaw meta jissaħħnu. Metodu ta' kisi ta 'sputtering huwa li tagħmel is-saff tal-wiċċ fil-mira ta' atomi saff b'saff għas-sottostrat, f'dan is-sens huwa film aktar perfetta li tagħmel il-ħiliet.Kull tip ta 'materjali jistgħu jintużaw fil-produzzjoni tal-kisi industrijali permezz ta' sputtering.
Ħin tal-post: Apr-29-2022