Kif nafu lkoll, il-metodi komunement użati fil-kisi bil-vakwu huma traspirazzjoni vakwu u sputtering tal-jone.X'inhi d-differenza bejn il-kisi ta 'transpirazzjoni u l-kisi ta' sputtering Ħafnanies għandek mistoqsijiet bħal dawn.Ejja naqsmu miegħek id-differenza bejn il-kisi ta 'transpirazzjoni u l-kisi ta' sputtering
Film ta 'traspirazzjoni bil-vakwu huwa li ssaħħan id-data li tkun transpirazzjoni għal temperatura fissa permezz ta' tisħin tar-reżistenza jew raġġ ta 'elettroni u qoxra tal-lejżer f'ambjent bi grad ta' vakwu ta 'mhux inqas minn 10-2Pa, sabiex l-enerġija ta' vibrazzjoni termali ta 'molekuli jew atomi fid-data jaqbeż l-enerġija li torbot tal-wiċċ, sabiex ħafna molekuli jew atomi traspirazzjoni jew jiżdiedu, u jiddepożitawhom direttament fuq is-sottostrat biex jiffurmaw film.Il-kisi ta 'sputtering tal-jone juża l-moviment ta' remonstrance għoli ta 'joni pożittivi ġġenerati mill-iskarigu tal-gass taħt l-effett tal-kamp elettriku biex jibbumbardja l-mira bħala l-katodu, sabiex l-atomi jew il-molekuli fil-mira jaħarbu u jiddepożitaw fuq il-wiċċ tal-biċċa tax-xogħol indurati biex jiffurmaw il-film meħtieġ.
L-aktar metodu użat komunement ta 'kisi ta' traspirazzjoni bil-vakwu huwa metodu ta 'tisħin tar-reżistenza.Il-vantaġġi tiegħu huma l-istruttura sempliċi tas-sors tat-tisħin, prezz baxx u tħaddim konvenjenti.L-iżvantaġġi tiegħu huma li mhuwiex adattat għal metalli refrattarji u midja reżistenti għal temperatura għolja.It-tisħin tar-raġġ tal-elettroni u t-tisħin bil-lejżer jistgħu jegħlbu l-iżvantaġġi tat-tisħin tar-reżistenza.Fit-tisħin tar-raġġ ta 'l-elettroni, ir-raġġ ta' l-elettroni ffukat jintuża biex isaħħan direttament id-dejta bil-qoxra, u l-enerġija kinetika tar-raġġ ta 'l-elettroni ssir enerġija tas-sħana biex tagħmel it-transpirazzjoni tad-dejta.It-tisħin bil-lejżer juża laser ta 'qawwa għolja bħala s-sors tat-tisħin, iżda minħabba l-ispiża għolja ta' laser ta 'qawwa għolja, jista' jintuża biss f'numru żgħir ta 'laboratorji ta' riċerka.
Il-ħila ta 'sputtering hija differenti minn ħila ta' traspirazzjoni bil-vakwu.Sputtering jirreferi għall-fenomenu li partiċelli ċċarġjati jibbumbardjaw lura lejn il-wiċċ (mira) tal-ġisem, sabiex l-atomi jew il-molekuli solidi jiġu emessi mill-wiċċ.Ħafna mill-partiċelli emessi huma atomiċi, li ħafna drabi tissejjaħ atomi sputtered.Partiċelli sputtered użati għat-tqaxxir tal-miri jistgħu jkunu elettroni, joni jew partiċelli newtrali.Minħabba li l-joni huma faċli biex tinkiseb l-enerġija kinetika meħtieġa taħt il-kamp elettriku, il-joni huma l-aktar magħżula bħala partiċelli tal-qoxra.
Il-proċess ta 'sputtering huwa bbażat fuq ħruġ ta' tiddix, jiġifieri, il-joni ta 'sputtering jiġu minn skarigu tal-gass.Ħiliet differenti ta 'sputtering għandhom metodi differenti ta' ħruġ ta 'glow.DC diode sputtering juża DC glow discharge;Triode sputtering huwa discharge glow appoġġjati minn katodu sħun;RF sputtering juża RF glow discharge;Magnetron sputtering huwa discharge glow kkontrollata minn kamp manjetiku annulari.
Meta mqabbel mal-kisi tat-transpirazzjoni bil-vakwu, il-kisi tal-sputtering għandu ħafna vantaġġi.Jekk xi sustanza tista 'tiġi sputtered, speċjalment elementi u komposti b'punt ta' tidwib għoli u pressjoni baxxa tal-fwar;L-adeżjoni bejn il-film sputtered u s-sottostrat hija tajba;Densità għolja tal-film;Il-ħxuna tal-film tista 'tiġi kkontrollata u r-ripetibbiltà hija tajba.L-iżvantaġġ huwa li t-tagħmir huwa kumpless u jeħtieġ apparat ta 'vultaġġ għoli.
Barra minn hekk, il-kombinazzjoni ta 'metodu ta' traspirazzjoni u metodu ta 'sputtering hija kisi tal-jone.Il-vantaġġi ta 'dan il-metodu huma adeżjoni qawwija bejn il-film u s-sottostrat, rata għolja ta' depożizzjoni u densità għolja tal-film.
Ħin tal-post: Mejju-09-2022