Kif nafu lkoll, ix-xejra ta 'żvilupp tat-teknoloġija tal-materjal fil-mira hija relatata mill-qrib mat-tendenza ta' żvilupp tat-teknoloġija tal-films fl-industrija tal-applikazzjoni downstream.Bit-titjib teknoloġiku tal-prodotti tal-film jew komponenti fl-industrija tal-applikazzjoni, it-teknoloġija fil-mira għandha tinbidel ukoll.Pereżempju, il-manifatturi ta 'l-Ic reċentement iffukaw fuq l-iżvilupp ta' wajers tar-ram ta 'reżistenza baxxa, li huwa mistenni li jissostitwixxi b'mod sinifikanti l-film ta' l-aluminju oriġinali fil-ftit snin li ġejjin, għalhekk l-iżvilupp ta 'miri tar-ram u l-miri ta' barriera meħtieġa tagħhom se jkunu urġenti.
Barra minn hekk, f'dawn l-aħħar snin, id-displej tal-pannelli ċatti (FPD) fil-biċċa l-kbira ssostitwixxa l-wiri tal-kompjuter u s-suq tat-televiżjoni bbażati fuq cathode-ray tube (CRT).Se żżid ħafna wkoll id-domanda teknika u tas-suq għall-miri ITO.U mbagħad hemm it-teknoloġija tal-ħażna.Id-domanda għal hard drives ta 'densità għolja, ta' kapaċità kbira u diski li jistgħu jitħassru ta 'densità għolja qed tkompli tiżdied.Dawn kollha wasslu għal bidliet fid-domanda għal materjali fil-mira fl-industrija tal-applikazzjoni.F'dan li ġej, se nintroduċu l-oqsma ta 'applikazzjoni ewlenin tal-mira u t-tendenza tal-iżvilupp tal-mira f'dawn l-oqsma.
1. Mikroelettronika
Fl-industriji tal-applikazzjoni kollha, l-industrija tas-semikondutturi għandha l-aktar rekwiżiti ta 'kwalità stretti għal films sputtering fil-mira.Wejfers tas-silikon ta '12-il pulzier (300 epistaxis) issa ġew manifatturati.Il-wisa 'ta' l-interkonnessjoni qed tonqos.Ir-rekwiżiti tal-manifatturi tal-wejfers tas-silikon għal materjali fil-mira huma fuq skala kbira, purità għolja, segregazzjoni baxxa u qamħ fin, li jeħtieġ li l-materjali fil-mira jkollhom mikrostruttura aħjar.Id-dijametru tal-partiċelli kristallini u l-uniformità tal-materjal fil-mira tqiesu bħala l-fatturi ewlenin li jaffettwaw ir-rata ta 'depożizzjoni tal-film.
Meta mqabbel ma 'l-aluminju, ir-ram għandu reżistenza għall-elettromobbiltà ogħla u reżistenza aktar baxxa, li tista' tissodisfa r-rekwiżiti tat-teknoloġija tal-kondutturi fil-wajers submicron taħt 0.25um, iżda ġġib problemi oħra: saħħa ta 'adeżjoni baxxa bejn ir-ram u materjali organiċi medji.Barra minn hekk, huwa faċli li tirreaġixxi, li twassal għall-korrużjoni tal-interkonnessjoni tar-ram u l-ksur taċ-ċirkwit waqt l-użu taċ-ċippa.Sabiex issolvi din il-problema, għandu jiġi stabbilit saff ta 'barriera bejn ir-ram u s-saff dielettriku.
Il-materjali fil-mira użati fis-saff tal-barriera tal-interkonnessjoni tar-ram jinkludu Ta, W, TaSi, WSi, eċċ. Iżda Ta u W huma metalli refrattorji.Huwa relattivament diffiċli li tagħmel, u ligi bħall-molibdenu u l-kromju qed jiġu studjati bħala materjali alternattivi.
2. Għall-wiri
Il-wiri tal-pannelli ċatti (FPD) kellu impatt kbir fuq il-monitor tal-kompjuter u s-suq tat-televiżjoni bbażati fuq cathode-ray tube (CRT) matul is-snin, u se jmexxi wkoll it-teknoloġija u d-domanda tas-suq għal materjali fil-mira ITO.Hemm żewġ tipi ta 'miri ITO illum.Wieħed huwa li tuża stat nanometru ta 'ossidu ta' l-indju u trab ta 'ossidu tal-landa wara s-sinterizzazzjoni, l-oħra hija li tuża mira ta' liga tal-landa ta 'l-indju.Il-film ITO jista 'jiġi fabbrikat permezz ta' sputtering reattiv DC fuq mira ta 'liga ta' l-indju-landa, iżda l-wiċċ tal-mira se jossidizza u jaffettwa r-rata ta 'sputtering, u huwa diffiċli li tinkiseb mira ta' liga ta 'daqs kbir.
Illum il-ġurnata, l-ewwel metodu huwa ġeneralment adottat biex jipproduċi materjal fil-mira ITO, li huwa kisi ta 'sputtering permezz ta' reazzjoni ta 'sputtering ta' magnetron.Għandu rata ta 'depożizzjoni mgħaġġla.Il-ħxuna tal-film tista 'tiġi kkontrollata b'mod preċiż, il-konduttività hija għolja, il-konsistenza tal-film hija tajba, u l-adeżjoni tas-sottostrat hija qawwija.Iżda l-materjal fil-mira huwa diffiċli biex isir, minħabba li l-ossidu tal-indju u l-ossidu tal-landa ma sinterizzatx faċilment flimkien.Ġeneralment, ZrO2, Bi2O3 u CeO jintgħażlu bħala addittivi tas-sinterizzazzjoni, u jista 'jinkiseb il-materjal fil-mira b'densità ta' 93% ~ 98% tal-valur teoretiku.Il-prestazzjoni tal-film ITO iffurmat b'dan il-mod għandha relazzjoni kbira mal-addittivi.
Ir-reżistività ta 'l-imblukkar tal-film ITO miksuba bl-użu ta' tali materjal fil-mira tilħaq 8.1 × 10n-cm, li hija qrib ir-reżistività tal-film ITO pur.Id-daqs tal-FPD u l-ħġieġ konduttiv huwa pjuttost kbir, u l-wisa 'tal-ħġieġ konduttiv jista' saħansitra jilħaq 3133mm.Sabiex tittejjeb l-użu ta 'materjali fil-mira, huma żviluppati materjali fil-mira ITO b'forom differenti, bħal forma ċilindrika.Fl-2000, il-Kummissjoni Nazzjonali għall-Ippjanar tal-Iżvilupp u l-Ministeru tax-Xjenza u t-Teknoloġija inkludew miri kbar tal-ITO fil-Linji Gwida għal Oqsma Ewlenin tal-Industrija tal-Informazzjoni Attwalment Prijoritizzati għall-Iżvilupp.
3. Użu tal-ħażna
F'termini ta 'teknoloġija tal-ħażna, l-iżvilupp ta' hard disks ta 'densità għolja u ta' kapaċità kbira jeħtieġ numru kbir ta 'materjali tal-film ta' riluttanza ġgant.Il-film kompost b'ħafna saffi CoF ~ Cu huwa struttura użata ħafna ta 'film ta' riluttanza ġgant.Il-materjal tal-mira tal-liga TbFeCo meħtieġ għad-diska manjetika għadu f'aktar żvilupp.Id-diska manjetika mmanifatturata b'TbFeCo għandha l-karatteristiċi ta 'kapaċità ta' ħażna kbira, ħajja twila ta 'servizz u tħassir ripetut mingħajr kuntatt.
Il-memorja tal-bidla fil-fażi (PCM) bbażata fuq l-antimonju ġermanju telluride wriet potenzjal kummerċjali sinifikanti, issir parti NOR memorja flash u suq DRAM teknoloġija ta 'ħażna alternattiva, madankollu, fl-implimentazzjoni mnaqqsa aktar malajr waħda mill-isfidi fit-triq li teżisti hija n-nuqqas ta' reset il-produzzjoni attwali tista 'titbaxxa aktar unità kompletament issiġillata.It-tnaqqis tal-kurrent ta 'reset inaqqas il-konsum tal-enerġija tal-memorja, jestendi l-ħajja tal-batterija, u jtejjeb il-bandwidth tad-dejta, il-karatteristiċi kollha importanti fl-apparat tal-konsumatur iċċentrat fuq id-dejta tal-lum u li jista' jinġarr ħafna.
Ħin tal-post: Awissu-09-2022